相变存储器材料研究

Abstract

作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一, 相变存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展, 相关产品已经问世并实现量产. 伴随着相变存储技术本身的发展, 与其相关的基础研究也是近年来信息、材料等相关领域的研究热点. 基于硫系化合物材料的相变存储介质是相变存储器的基础和核心, 相变材料的性能决定相变存储器的性能. 本文简要介绍了相变存储器的产业化动态、总结了常用GeSbTe相变材料及其机理的主要理论研究结果、分析了传统GeSbTe相变材料的C掺杂改性及其相变机理.

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