磁随机存储器研究进展
Abstract
<p indent="0mm">基于自旋电子学的磁性随机存储器(Magnetic Random Access Memory, MRAM)具有非易失性、可无限擦写、低功耗和快速写入等优点, 从而有望成为下一代通用存储器. 在MRAM家族中, 根据磁写入方式和磁媒介的不同, 人们提出了自旋转移力矩(Spin Transfer Torque, STT)、自旋轨道力矩(Spin Orbit Torque, SOT)、电压控制型(如电控磁各向异性(Voltage Controlled Magnetic Anisotropy, VCMA)型和电控SOT(Voltage Gated-SOT, VG-SOT)型)、磁畴壁(Domain Wall, DW)和磁斯格明子(Magnetic Skyrmion)型等不同类型的各具特色的MRAM, 共同推动着磁存储技术的多元化发展. 近年来STT-MRAM商用芯片的成功问世进一步推动了MRAM器件的研究与应用. 本文首先简要介绍了存储器技术的历史, 然后介绍了MRAM的基本工作原理、从MRAM中读取和写入信息背后的技术、材料和不同的物理机制以及潜在的挑战问题. 接下来介绍了近些年发展的新型的磁写入机制的进展. 本文末尾讨论了一些可能有助于行业超越传统MRAM的技术, 最后是总结和展望.</p>
