利用磁电致发光效应研究高温环境对基于<bold>TBRb/C</bold><sub><bold>60</bold></sub>结构的<bold>OLED</bold>光电性质的影响
Abstract
本文制备了基于2,8-di-tert-butyl-5,11-bis(4-tert-butylphenyl)-6,12-diphenyltetracene (TBRb)为空穴传输兼发光层, Fullerene (C<sub>60</sub>)为电子传输层的有机发光二极管(OLED), 并利用磁电致发光效应(MEL)分析了高温环境对OLED光电性质的影响. 器件的MEL在<sc>300 K</sc>时表现出先上升, 再下降, 再上升的“3V”特征线型是由系间窜跃(ISC)、反向系间窜跃(RISC)、三重态激子湮灭(TTA)和单重态激子分裂(STT) 4种过程所组成; 开启电压仅为<sc>1 V</sc>左右, 具备半带隙开启特性. 原位加热器件至<sc>400 K</sc>后, MEL特征线型变为“Y”字线型. 通过对MEL拟合、电流-电压曲线、发光-电流曲线和表面形貌的分析, 我们认为400 K时器件内部产生结构陷阱, 提高了界面处单重态极化子对和三重态极化子对之间的ISC以及单重态激基复合物和三重态激基复合物之间的RISC过程, 抑制了TBRb内的TTA和STT过程. 随着温度升高, 器件的发光效率降低, 不利于器件发光. 本工作不仅有利于理解高温环境对TBRb/C<sub>60</sub>结构的OLED器件中载流子演化过程影响, 还提供了一种利用MEL无损探测器件结构改变的技术方案.
