拓扑材料<bold>WTe</bold><sub><bold>2</bold></sub>的可控生长和物性调控
Abstract
二维拓扑绝缘体由于具有受到拓扑保护的螺旋形(Helical)边缘态可以实现量子自旋霍尔效应; 拓扑超导体由于具备满足非阿贝尔统计的马约拉纳(Majorana)零能模而成为实现拓扑量子计算的主要候选材料. WTe<sub>2</sub>同时具备成为二维拓扑绝缘体和拓扑超导体的可能性. 本文介绍利用分子束外延技术生长出单层1<italic>T</italic>′-WTe<sub>2</sub>, 并利用扫描隧道显微镜/谱(STM/STS)揭示其半金属型的电子结构和拓扑边缘态的进展. 通过衬底形变在1<italic>T</italic>′-WTe<sub>2</sub>薄膜中引入应力作用, 驱动了1<italic>T</italic>′-WTe<sub>2</sub>的拓扑非平庸的全能隙绝缘相, 从而实现真正意义的二维拓扑绝缘体. 还利用碱金属插层的方法在体相Td-WTe<sub>2</sub>中进行电子掺杂, 实现了常压下的超导转变. XRD结构分析显示K原子插层对Td-WTe<sub>2</sub>晶格结构的影响可以忽略不计, 表明超导态的WTe<sub>2</sub>仍可能具有拓扑非平庸性质.
