三维集成阻变存储器阵列的电-热模型
Abstract
随着三维集成阻变存储器(Resistive Random Access Memory, RRAM)集成度的不断提高, 由焦耳热引起的热效应将会严重影响器件的稳定性、可靠性及寿命. 因此, 三维集成RRAM将面临最大的挑战是如何解决器件的热效应问题, 而这种热效应现象伴随着器件特征尺寸的下降, 热量分布对于RRAM器件的影响(如能耗、热稳定性等)变得尤为突出. 特别是随着存储单元密度的不断提升, 相邻单元之间的距离不断减小, 邻近单元的热串扰将严重制约三维集成RRAM的发展和应用. 本文基于电-热类比方法, 建立了一种新的三维集成阻变存储器阵列的电-热紧凑模型; 模型的准确性通过ANSYS物理场仿真软件进行了验证. 该模型能够在Cadence中同时进行阵列电学特性和热学特性的仿真; 本文提出的紧凑模型可以用于预测三维集成RRAM阵列中的热分布状况及分析热串扰.
