氮化物深紫外LED研究新进展
Abstract
<p indent="0mm">基于三族氮化物(III-nitride)材料的紫外发光二极管(UV LED)在杀菌消毒、聚合物固化、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景, 近年来受到越来越多的关注和重视. 在过去的十多年里, 氮化物UV LED取得了长足的进步, 发光波长400-210 nm之间的氮化物UV LED先后被研发出来, 短于360 nm的深紫外LED (DUV LED)的外量子效率(EQE)最好结果已超过10%, 很大程度上得益于核心AlGaN材料制备技术的进展. 通过提高AlGaN外延材料及量子结构中的Al组分, 可以实现更短波长的UV LED, 但是源于Al(Ga)N材料的特性, 随着Al组分的提高, 高质量材料外延和实现有效掺杂面临越来越高的挑战. 本文首先从材料外延和掺杂研究的角度出发, 分别从UV LED的量子结构与效率、关键芯片工艺、光提取、可靠性与热管理等方面, 详细阐述探讨了发光波长短于360 nm的DUV LED研究中面临的核心难点及近年来的一系列重要研究进展.</p>
