斯格明子磁隧道结研究进展
Abstract
磁斯格明子是受拓扑保护的非共线磁结构，具有独特的稳定性和动力学。由于体积小、结构稳定、易操控，斯格明子被认为是下一代自旋存储、逻辑器件的优良信息载体。斯格明子的产生、操控和探测是构建斯格明子功能器件的三个前提条件。到目前为止，斯格明子的产生和操控方面取得了较大进展，但斯格明子的高效电学探测研究报道不多，成为阻碍斯格明子的应用瓶颈之一。基于自旋取向依赖的量子隧道效应，结合磁性层自旋态密度的差异，隧穿磁电阻效应可以将斯格明子的有无转换成千欧量级以上的电阻变化，有望解决斯格明子的高效探测难题。本综述中，我们将总结斯格明子隧穿磁电阻、各向异性隧穿磁电阻和非共线磁电阻三种表现形式。本文详细介绍了磁隧道结的分类和发展历程，以及利用磁隧道结探测斯格明子的最新进展。最后，本综述对斯格明子磁隧道结在磁随机存储器领域的应用前景和发展趋势进行展望。
