光控源漏极单层<bold>MoS</bold><sub><bold>2</bold></sub>场效应晶体管中自旋和谷极化输运
Abstract
新型二维材料由于其独特的自旋和谷电子学性质, 成为制备量子集成器件的关键材料. 光学调控是改变二维材料特性的有效方法, 近年来利用圆偏振光来操控谷自由度备受关注. 本文基于Floquet散射理和转移矩阵方法, 研究了光控源漏极单层MoS<sub>2</sub>场效应晶体管中自旋和谷极化输运特性. 结果表明, 与栅极光控单层MoS<sub>2</sub>场效应晶体管结构相比, 在源漏极施加光场时, 自旋和谷极化输运对栅压的响应更灵敏, 特别是调控栅压方向便可以实现由<italic>K′</italic>谷极化输运占主导地位转换为<italic>K</italic>谷过滤效应. 更有趣的是, 在此结构中, 当电子低能入射时, 100%理想谷极化几乎不依赖于量子结构的尺寸. 这些新的发现为新型过渡金属硫化物场效应晶体管提供了潜在的应用价值.
