GaInP 薄膜的金属有机化学气相沉积生长动力学多尺度模拟
Abstract
III-V 族化合物GaInP 是一种高效发光材料. 金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)技术能均匀生长多结、多层和大面积的薄膜材料, 是一种非常有效的方法. 通过分别运用计算流体力学、动力学蒙特卡罗方法与虚拟现实技术相结合, 提出了一个研究垂直MOCVD 反应器的GaInP 薄膜生长过程的流体动力学、热力学和分子动力学多尺度模拟方法. 可视化结果不仅准确和直观的显示了 MOCVD 反应器里的气体热流场分布情况, 而且展示了MOCVD 反应器中的GaInP 薄膜生长过程. 因此, 该模拟为我们优化GaInP 的MOCVD 生长提供了一个重要指导.
